据台湾媒体报道，业界消息称，高通已经将首批FinFET(鳍式场效晶体管)芯片订单下给了三星电子，而不是业界普遍认为的台积电。三星将使用14纳米制程工艺生产FinFET芯片，而台积电使用的是16纳米。消息称，尽管16纳米晶粒(Die)尺寸大于14纳米，但台积电自信可以通过将芯片生产良品率最大化的方式增加产能，进而帮助客户降低生产成本。 尽管高通的策略是与多个代工制造商在28纳米或更为成熟的工艺上合作，包括台积电、三星、Globalfoundries、联电、中芯国际，但消息认为高通在FinFET产品开发上没有尝试与台积电合作将承受一定风险。FPGA芯片厂商Altera此前曾选择英特尔开发14纳米FinFET产品，但由于英特尔良品率低被迫将订单转移给了台积电。 消息称，高通主要竞争对手联发科一直与台积电在28纳米和20纳米工艺上展开合作，将继续使用台积电的16纳米FinFET Plus工艺开发芯片。
