老牌存储厂商创见（Teanscend）刚刚推出了 USD230I 系列 microSD 存储卡新品，通过 SLC 缓存模拟方案，其能够大幅提升突发写入速度。官方给出的最高数据传输速率为 100 MB/s，随机读写也高达 3.4k IOPS，较市面上的普通模式竞品有明显的性能优势。 容量方面，创见 USD230I 系列可选 8GB / 16GB / 32GB / 64GB 的型号。卡片符合 A1 和 V30 认证、写速保底 30MB/s，足以支撑4K视频录制和安装谷歌 Android 应用程序。 其实早在 2017 年初，SD 存储协会就已经引入了 Pseudo-SLC 缓存机制。对于创见的 USD230I 来说，由于其使用了 3D TLC 闪存，因此 pSLC 缓存机制能够有效提升其性能表现。 遗憾的是，厂商并未透露确切的 pSLC 缓存的大小。耐用性方面，8GB 版本为 36 TBW、16 / 32GB 版本为 70 TBW、64GB 版本则是 140 TBW 。
