在 Samsung Electronics 之后，SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 产品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手机用的 8GB LPDDR4 内存，而 SK Hynix 则是在 12 月 21 日，足足晚了 2 个月。目前 8GB（64Gb）的 LPDDR4 内存将由 4 颗 16Gb 内存在同一封装内组成。 8GB 的 SK Hynix LPDDR4 内存将会有 366 ball 与 376 ball 两种规格。其中 366 ball 可以与 SOC 或是 UFS 叠在一起，目前已经开始出货，至于 376 ball 将会在 2017 年第一季开始供应。SK Hynix 的 16Gb 内存使用的是 21nm 制程，而稍早 Samsung Electronics 部分则是 10nm 级别制程。相较于 SK Hynix 的 3733MT/s 传输速率，Samsung Electronics 可以达到 4266MT/s。 图片来自于anandtech 相关文章: 三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片：手机RAM春天
