中兴通讯宣布联合中国移动，高通公司成功演示业界首个基于商用终端芯片的TD-LTE 下行3载波聚合(CA)，标志CA商用进程迈出重要一步。本次演示基于中兴通讯提供的TD-LTE eNB 无线基站以及EPC设备，美国高通公司提供业界首个基于3载波聚合(CA)芯片的终端，在2.6G TDD频段上实现3个20MHz频段的聚合，下行数据吞吐率达到330Mbps. 表明了3载波聚合的成熟已经基本满足商用部署要求。 载波聚合(CA)是LTE-A的核心技术，可以把相同或不同频段下的两个以上的载波合并为一个信道，成倍提高TD-LTE小区的峰值速率。同时该技术还可有效规避邻区同频干扰，提升TD-LTE网络性能，更灵活地实现主辅小区间的负载均衡，提升网络容量。载波聚合技术的应用，能够让运营商为移动用户提供更高速、更丰富的业务体验，更好地应对数据业务流量的爆发式增长，提高TD-LTE网络的竞争力。 作为全球领先的LTE解决方案供应商，中兴通讯持续推动载波聚合的商用化进程，已经实现业界最高的TD-LTE跨频段4载波聚合1Gbps 传输，以及TD-LTE 3.5G 4载波1Gbps聚合。中兴通讯致力与合作伙伴一道，通过不断的技术创新与应用为用户提供更优的4G网络体验。
