本月早些时候，我们曾对采用了Exynos 7420处理器Galaxy 6系新机和其它竞争机型进行了跑分和评比。不过Galaxy S6和S6 Edge还有其它杀手锏，比如全新的LPDDR4内存、以及符合USF 2.0标准的闪存。作为eMMC 5.0 / 5.1标准的继任者，UFS 2.0内置存储带给我们的最直观感受(除了快)，还有允许同时读/写、能够对输入命令按照优先级排序，同时尽快地执行。 就算对数据任务进行安排的功能有些“无关紧要”，但是顺序读写速度的提升还是相当可观的，尤其在处理大文件的时候(高清视频、无损音频、以及大量游戏)。 由于三星的新闪存如此给力，以至于我们同时迎来了一款全新的评比软件，它就是AndroBench。 上面就是跑分结果，Galaxy S6毫无悬念的全程大幅领先。 当然，基准测试并不能反映实际使用体验，比如处理日常任务的时候，大部分人几乎都是体会不到差别的。但如果你更侧重于重型媒体应用，那么UFS 2.0相对于eMMC 5.0标准的读写优势就全面爆发了。 说完了UFS 2.0闪存，我们再来看看Galaxy S6上的LPDDR4内存(高通骁龙810也配备支持LPDDR4内存)。 与闪存不同，内存的主要任务并不是储存大量永久性的文件，而是临时存放系统或应用程序所需要处理调度的文件。 与LPDDR3相比，LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大，“内存敏感型”的应用程序的体验也将直接受益——比如游戏、120fps的慢动作视频、以及2K或4K级别的视频录制。 Galaxy S6选用了频率高达1552MHz的LPDDR4内存，就算它沿用前一代Exynos芯片的32位双通道芯片设计，其带宽也达到了24.8GB/s。 相比之下，搭配LPDDR3内存的骁龙801，其带宽为12.8GB/s；而Exynos 5433则是13.2GB/s。 最后，在提升了速度的同时，LPDDR4还将电压降低到了1.1V（LPDDR3为1.2V），在智能机续航仍然不够给力的情况下，节能特性亦尤为重要。 [编译自：Android Authority] 相关文章: Galaxy S6多核性能测试：Exynos 7420跑分大幅领先
